Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir referentes às perdas de potência em semicondutores:

3ª QUESTÃO
Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir referentes às perdas de potência em semicondutores:

I - Um diodo de corpo pode ser utilizado para proteger o MOSFET quando este é aplicado em circuitos eletrônicos com características indutivas.
II - A quantidade de potência durante o estado ligado (condução) não depende da frequência de chaveamento do circuito, sendo essa apenas relevante no cálculo da potência durante o chaveamento.
III - Se desconsiderarmos apenas a resistência de corpo (intrínseca) de um SCR podemos afirmar que a potência dissipada durante o estado ligado (P) será nula. Desta forma podemos considerar a eficiência de 100% na conversão de potência.
IV - O dispositivo IGBT, assim como o MOSFET, possuem características similares e, quando operando na região ativa, possuem ganhos entre a corrente de dreno/coletor e a corrente de gate. Porém, em eletrônica de potência, utilizamos estes dois componentes essencialmente nas regiões de saturação e corte, apenas.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e IV, apenas.
II e III, apenas.
I, II e IV, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.