Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir sobre diferentes dispositivos semicondutores de potência:

4ª QUESTÃO
Considerando o texto apresentado, avalie as afirmações a seguir sobre diferentes dispositivos semicondutores de potência:

I - O diodo de potência é um dispositivo semicondutor utilizado para bloquear a corrente em um sentido e permitir a passagem de corrente em um sentido oposto.
II - O GTO (Gate Turn-Off Thyristor) é um dispositivo semicondutor bipolar que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos, sendo utilizado principalmente em aplicações de alta frequência.
III - O MOSFET é um dispositivo semicondutor de potência unidirecional que possui a capacidade de controlar a quantidade de corrente que o percorre a partir de uma corrente proporcional injetada no terminal de gate.
IV - O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta capacidade de bloqueio de tensão do MOSFET com a baixa resistência de condução do transistor bipolar.
V - O SCR (Silicon-Controlled Rectifier) pode ser compreendido como uma chave controlada, pois mesmo possuindo características similares ao do diodo retificador, é possível comandar o instante em que o dispositivo começa a conduzir corrente, assim como o bloqueio desta corrente, enviando um sinal nulo de corrente no terminal de gate.

É correto o que se afirma em:

ALTERNATIVAS
I e V, apenas.
I, II e V, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
III, IV e V, apenas.