7a QUESTÃO
Os dispositivos semicondutores de potência desempenham um papel fundamental no controle e conversão eficiente da energia elétrica. Esses dispositivos, como os diodos, tiristores, transistores de potência, permitem o controle da corrente e tensão em circuitos de alta potência.
Elaborado pelo professor, 2023.
Com base no exposto acima, avalie as afirmações a seguir como (V) para verdadeiras e (F) para falsas:
I. O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é um dispositivo semicondutor de potência que combina a alta capacidade de bloqueio de tensão do MOSFET com a baixa resistência de condução do transistor bipolar.
II. O diodo de potência é um dispositivo semicondutor utilizado para bloquear a corrente em um sentido e permitir a passagem de corrente em um sentido oposto.
III. O SCR (Silicon-Controlled Rectifier) é um dispositivo semicondutor unidirecional que é amplamente utilizado em circuitos de controle de potência, como retificadores controlados de onda completa.
IV. O MOSFET de potência é um dispositivo semicondutor bipolar que permite a passagem de corrente em ambos os sentidos, sendo utilizado principalmente em aplicações de alta frequência.
V. O GTO (Gate Turn-Off Thyristor) é um dispositivo semicondutor de potência unidirecional que possui a capacidade de controlar a quantidade de corrente que o percorre a partir de uma corrente proporcional injetada no terminal de gate.
As afirmações I, II, III, IV e V são, respectivamente:
ALTERNATIVAS
- V, V, V, F, F.
- F, F, V, V, F.
- V, F, V, F, V.
- V, F, F, V, F.
- V, V, F, F, V.